Infineon IGBT / 75 A ±20V max. , 650 V 341 W, 3-Pin PG-TO247-3-STD-NN4.8 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
285-016
Herst. Teile-Nr.:
IKWH75N65EH7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

75 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

341 W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

PG-TO247-3-STD-NN4.8

Konfiguration

Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Der IGBT von Infineon stellt einen bahnbrechenden Fortschritt in der Leistungselektronik dar und nutzt die überlegene Leistung der 650 V TRENCHSTOP IGBT7-Technologie. Dieser IGBT wurde für Hochgeschwindigkeitsanwendungen entwickelt und liefert eine niedrige Sättigungsspannung und minimale Schaltverluste, was ihn zur idealen Wahl für eine Vielzahl anspruchsvoller Anwendungen macht, einschließlich industrieller USV, EV-Ladung und String-Wechselrichter. Seine robuste Bauweise sorgt für Feuchtigkeitsresistenz und optimiertes Schaltverhalten und macht ihn zu einer zuverlässigen Lösung sowohl für Zwei- als auch für Dreistufentopologien. Mit seinem umfassenden Produktspektrum, das durch PSpice-Modelle ergänzt wird, können Anwender diesen IGBT effektiv in ihre Systeme integrieren und seine fortschrittlichen Fähigkeiten voll ausschöpfen.

Liefert niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Geringe Schaltverluste für verbesserte Effizienz
Optimiert für dynamische Hard-Switching-Anwendungen
Robustheit bei Feuchtigkeit gewährleistet Betriebssicherheit
Nahtlose Anpassung an verschiedene Stromanwendungen
Qualifiziert für den industriellen Einsatz nach JEDEC-Standards
Unterstützt robuste Energieumwandlungslösungen
Integriert mit PSpice-Modellen für mehr Flexibilität beim Design

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