Infineon IGBT / 80 A ±20V max. , 650 V 249 W, 3-Pin PG-TO247-3-STD-NN4.8 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
285-013
Herst. Teile-Nr.:
IKWH50N65EH7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

80 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

249 W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

PG-TO247-3-STD-NN4.8

Konfiguration

Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Der IGBT von Infineon ist ein hochentwickelter Hochgeschwindigkeits-IGBT, der für eine beeindruckende Leistung in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt wurde. Dieser 650-V-Baustein nutzt die fortschrittliche Trench-Stop-Technologie und bietet deutlich reduzierte Schaltverluste und eine extrem niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung. Sein robustes Design sorgt für außergewöhnliche Zuverlässigkeit und macht ihn zur idealen Wahl für energieeffiziente Systeme, wie z. B. industrielle USV und Ladelösungen für Elektrofahrzeuge. Mit seinen hervorragenden Wärmemanagement-Eigenschaften und der Einhaltung der strengen JEDEC-Normen zeichnet sich dieser Baustein durch seine Vielseitigkeit und Langlebigkeit in verschiedenen Anwendungen aus.

Geringe Schaltverluste verbessern den Wirkungsgrad
Robustheit gegenüber Feuchtigkeit für zuverlässigen Betrieb
Optimiert für zwei- und dreistufige Topologien
Sanfte und schnelle Erholungsdiode erhöht die Leistung
Nach Industriestandards für Zuverlässigkeit validiert
Umfassendes Produktspektrum und PSpice-Modelle
Hoher Kollektorstrom für anspruchsvolle Anwendungen

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