Infineon IGBT / 80 A 30V max. , 650 V 270 W, 3-Pin PG-TO263 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 226-6062
- Herst. Teile-Nr.:
- IGB50N65S5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 226-6062
- Herst. Teile-Nr.:
- IGB50N65S5ATMA1
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Infineon IGB50N65S ist ein 50-A-IGBT mit antiparalleler Diode ohne Gate-Klemmkomponente. In diesem weichen Stromabfallverhalten ohne Rückstrom ist es ausgezeichnet für die Parallelschaltung geeignet.
Sehr niedriger VCEsat von 1,35 V bei 25 °C
Maximale Sperrschichttemperatur TVJ 175 °C.
Vierfacher Nennstrom
Maximale Sperrschichttemperatur TVJ 175 °C.
Vierfacher Nennstrom
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
| Gate-Source Spannung max. | 30V |
| Anzahl an Transistoren | 1 |
| Verlustleistung max. | 270 W |
| Konfiguration | Single |
| Gehäusegröße | PG-TO263 |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
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