Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 30 A, 650 V 105 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

12,78 €

(ohne MwSt.)

15,21 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 920 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 202,556 €12,78 €
25 - 452,302 €11,51 €
50 - 1202,148 €10,74 €
125 - 2451,994 €9,97 €
250 +1,84 €9,20 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
215-6648
Herst. Teile-Nr.:
IKB15N65EH5ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

30A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

105W

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.65V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±30 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

High Speed Fifth Generation

Normen/Zulassungen

JEDEC47/20/22

Automobilstandard

Nein

Der bipolare Infineon Hochgeschwindigkeits-Schalttransistor mit isoliertem Gate, der mit einer Rapid-1-Antiparalleldiode mit vollem Nennstrom kopakt ist, hat außerdem eine Durchschlagsspannung von 650 V.

Hoher Wirkungsgrad

Niedrige Schaltverluste

Erhöhte Zuverlässigkeit

Geringe elektromagnetische Störungen

Verwandte Links