STMicroelectronics IGBT / 50 A, 650 V 167 W, 3-Pin To-247 LL Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 201-4417
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA30HP65FB2
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 1,733 € | 51,99 € |
| 120 - 240 | 1,712 € | 51,36 € |
| 270 - 480 | 1,691 € | 50,73 € |
| 510 - 990 | 1,67 € | 50,10 € |
| 1020 + | 1,65 € | 49,50 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 201-4417
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA30HP65FB2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 50A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 167W | |
| Gehäusegröße | To-247 LL | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.1V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Länge | 15.9mm | |
| Serie | STG | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 50A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 167W | ||
Gehäusegröße To-247 LL | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.1V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 5.1mm | ||
Länge 15.9mm | ||
Serie STG | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics Trench Gate Feldanschlag, 650 V, 30 A, Hochgeschwindigkeits-IGBT der Serie HB2 in einem TO-247-Gehäuse mit langen Leitungen, hat einen positiven VCE(sat)-Temperaturkoeffizienten.
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
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