Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 26 A, 600 V 130 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche

Alle IGBT anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

561,00 €

(ohne MwSt.)

668,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 2.000 Einheit(en) mit Versand ab 16. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1000 +0,561 €561,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
215-6627
Herst. Teile-Nr.:
IGB15N60TATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

26A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

130W

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

JEDEC1

Serie

TRENCHSTOPTM

Automobilstandard

Nein

Der Infineon bipolare Transistor mit verlustarmem isoliertem Gate mit Fieldstop-Technologie.

Hoher Wirkungsgrad

Niedrige Schaltverluste

Erhöhte Zuverlässigkeit

Geringe elektromagnetische Störungen

Verwandte Links