Infineon Rückwärtsleitender IGBT / 80 A, 650 V 282 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 215-6646
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW50N65R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- IHW50N65R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 80A | |
| Produkt Typ | Rückwärtsleitender IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 282W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.35V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | Pb-free lead plating, RoHS, JESD-022 | |
| Serie | Resonant Switching | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 80A | ||
Produkt Typ Rückwärtsleitender IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 282W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.35V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen Pb-free lead plating, RoHS, JESD-022 | ||
Serie Resonant Switching | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon Reverse-leitfähige bipolare Transistor mit isoliertem Gate und monolithischer Gehäusediode.
Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
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