Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 30 A, 1200 V 200 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
215-6668P
Herst. Teile-Nr.:
IKW15N120BH6XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

30A

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

200W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

JEDEC47/20/22

Länge

42mm

Serie

TrenchStop

Höhe

5.21mm

Automobilstandard

Nein

Der bipolare Transistor mit isoliertem Gate der 6. Generation von Infineon in der schnellen, weichen Schaltserie.

Hoher Wirkungsgrad

Niedrige Schaltverluste

Erhöhte Zuverlässigkeit

Geringe elektromagnetische Störungen

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