Infineon IGBT-Modul / 1,8 kA 20V max. Dual, 1700 V 20 mW, 10-Pin Prime3+ N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 218-4333
- Herst. Teile-Nr.:
- FF1800R17IP5PBPSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 1,8 kA | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1700 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 20V | |
| Verlustleistung max. | 20 mW | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Konfiguration | Dual | |
| Gehäusegröße | Prime3+ | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 10 | |
| Transistor-Konfiguration | Dual | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 1,8 kA | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1700 V | ||
Gate-Source Spannung max. 20V | ||
Verlustleistung max. 20 mW | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Konfiguration Dual | ||
Gehäusegröße Prime3+ | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 10 | ||
Transistor-Konfiguration Dual | ||
Das Infineon PrimePACK Dual IGBT-Modul mit Trenchstop IGBT5- und .XT-Verbindungstechnologie. Er hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1700 V. Die N-Kanal Trenchstop- und Feldstop-IGBT-Module sind für harte Schalt- und weiche Schaltanwendungen wie Hochleistungswandler, USV-System, Motorantriebe und Solaranwendungen geeignet.
Kupferverbindungen für hohe Strombelastbarkeit
Sintern von Chips für höchste Leistungszyklusfähigkeiten
Gesamtverluste um bis zu 20 % reduziert
Geringerer Kühlaufwand für gleiche Ausgangsleistung
Ermöglicht höhere Systemüberlastbedingungen
Sintern von Chips für höchste Leistungszyklusfähigkeiten
Gesamtverluste um bis zu 20 % reduziert
Geringerer Kühlaufwand für gleiche Ausgangsleistung
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