Infineon IGBT-Modul / 600 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 7-Pin 62 mm N-Kanal

Alle IGBT anzeigen

Zwischensumme (1 Schale mit 10 Stück)*

1.502,62 €

(ohne MwSt.)

1.788,12 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 04. Januar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Schale*
10 +150,262 €1.502,62 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
218-4338
Herst. Teile-Nr.:
FF600R12KE4EBOSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

600 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

20V

Anzahl an Transistoren

2

Verlustleistung max.

20 mW

Konfiguration

Common Emitter

Gehäusegröße

62 mm

Channel-Typ

N

Pinanzahl

7

Transistor-Konfiguration

Single & Common Emitter

Das Infineon IGBT-Modul der Serie C mit Emitter-gesteuerter HE-Diode und schnellem Trenchstop IGBT4. Er hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und einen Kollektorstrom von 600 A. Er wird hauptsächlich in der Motorsteuerung und Antrieben, Lösungen für Solarenergiesysteme, USV-Systemen und Hochleistungswandlern eingesetzt.

Höchste Leistungsdichte
Flexibilität
Optimale elektrische Leistung
Höchste Zuverlässigkeit
Hohe Kriechstrecke und Sicherheitsabstände

Verwandte Links