Infineon IGBT-Modul / 600 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 7-Pin 62 mm N-Kanal

RS Best.-Nr.:: 218-4339
Herst. Teile-Nr.:: FF600R12KE4EBOSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT-Modul / 600 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 7-Pin 62 mm N-Kanal

999999999 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück

245,39 €

(ohne MwSt.)

292,01 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück
1 - 1	245,39 €
2 - 4	233,11 €
5 +	223,30 €

RS Best.-Nr.:: 218-4339
Herst. Teile-Nr.:: FF600R12KE4EBOSA1
Marke:: Infineon

Mehr Infos und technische Dokumente

Datasheet - FF600R12KE4EBOSA1

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Das Infineon IGBT-Modul der Serie C mit Emitter-gesteuerter HE-Diode und schnellem Trenchstop IGBT4. Er hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und einen Kollektorstrom von 600 A. Er wird hauptsächlich in der Motorsteuerung und Antrieben, Lösungen für Solarenergiesysteme, USV-Systemen und Hochleistungswandlern eingesetzt.

Höchste Leistungsdichte
Flexibilität
Optimale elektrische Leistung
Höchste Zuverlässigkeit
Hohe Kriechstrecke und Sicherheitsabstände

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Dauer-Kollektorstrom max.	600 A
Kollektor-Emitter-Spannung	1200 V
Gate-Source Spannung max.	20V
Anzahl an Transistoren	2
Verlustleistung max.	20 mW
Gehäusegröße	62 mm
Konfiguration	Common Emitter
Channel-Typ	N
Pinanzahl	7
Transistor-Konfiguration	Single & Common Emitter

Infineon IGBT-Modul / 600 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 7-Pin 62 mm N-Kanal

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Technische Daten

Verwandte Produkte