Infineon IGBT-Modul / 600 A, 1200 V 20 mW, 11-Pin ECONODUAL N-Kanal Oberfläche

RS Best.-Nr.:: 218-4340
Herst. Teile-Nr.:: FF600R12ME4B72BOSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT-Modul / 600 A, 1200 V 20 mW, 11-Pin ECONODUAL N-Kanal Oberfläche

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RS Best.-Nr.:: 218-4340
Herst. Teile-Nr.:: FF600R12ME4B72BOSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	IGBT-Modul
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic	600A
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	1200V
	Anzahl an Transistoren	2
	Maximale Verlustleistung Pd	20mW
	Gehäusegröße	ECONODUAL
	Montageart	Oberfläche
	Kabelkanaltyp	N
	Pinanzahl	11
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	20 V
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT	2.1V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	62mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	152mm
	Höhe	20.8mm
	Serie	FF600R12ME4_B72
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Produkt Typ IGBT-Modul
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 600A
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V
	Anzahl an Transistoren 2
	Maximale Verlustleistung Pd 20mW
	Gehäusegröße ECONODUAL
	Montageart Oberfläche
	Kabelkanaltyp N
	Pinanzahl 11
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.1V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 62mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 152mm
	Höhe 20.8mm
	Serie FF600R12ME4_B72
	Automobilstandard Nein

Datasheet - FF600R12ME4B72BOSA1

Infineon FF600R12ME4_B72 Serie IGBT-Modul, 1200 V Kollektor-Emitter-Spannung, 600 A Kollektorstrom – FF600R12ME4B72BOSA1

Dieses IGBT-Modul bietet Hochspannungsschaltung für anspruchsvolle Leistungsanwendungen und kombiniert eine Dual-Transistor-Topologie mit einem kompakten ECONODUAL-Gehäuse für die Oberflächenmontage. Er ist für große Dauerstromströme ausgelegt und arbeitet in einem breiten Temperaturbereich, wodurch er sich für industrielle Leistungsumwandlungs- und Motorsteuerungsumgebungen eignet.

Merkmale und Vorteile:

• 1200 V Blockierungsspannung bietet Hochspannungsschaltfähigkeit
• 600 A kontinuierlicher Kollektorstrom ermöglicht die Handhabung schwerer Lasten
• Niedrige VCE(sat) von 2,1 V reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Maximale Verlustleistung von 20 mW minimiert den internen Leistungsverlust
• Die Nennleistung des Gate-Emitters vom Typ N von 20 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannungen
• Dual-Transistor-Konfiguration unterstützt Halbbrücken- und Wechselrichter-Topologien

Anwendungsbereich

• Geeignet für industrielle Motorantriebs-Leistungsstufen
• Einsatz mit Hochspannungswechselrichtersystemen in der Industrie
• Ideal für Hochstrom-Wandlermodule
• Kann für Stromversorgungen verwendet werden, die ein robustes Schalten erfordern
• Geeignet für Traktions- und große Antriebe, die zwei Schalter erfordern

Welche Stiftkonfiguration wird für die Leiterplatten-Integration verwendet?

Das Gerät verfügt über ein 11-poliges Layout, das für die Oberflächenmontage in einem ECONODUAL-Gehäuse formatiert ist.

Was sind die zulässigen Umgebungstemperaturgrenzen für den Betrieb?

Er arbeitet zuverlässig zwischen -40 °C und 150 °C maximale Betriebstemperatur.

Wie viele Transistoren sind integriert, und welche Topologie wird dadurch unterstützt?

Das Modul enthält zwei Transistoren, die Dual-Switch-Anordnungen wie Halbbrücken ermöglichen.

Welche physische Größe sollte ich in der Montageanordnung zulassen?

Die Komponente misst 152 x 62 x 20,8 mm und sorgt so für den entsprechenden Platzbedarf auf der Baugruppe.