Infineon IGBT-Modul / 600 A, 1200 V 20 mW, 11-Pin ECONODUAL N-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 218-4341
- Herst. Teile-Nr.:
- FF600R12ME4B72BOSA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 600A | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Gehäusegröße | ECONODUAL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 11 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.1V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 62mm | |
| Serie | FF600R12ME4_B72 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 20.8mm | |
| Länge | 152mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 600A | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Gehäusegröße ECONODUAL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 11 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.1V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 62mm | ||
Serie FF600R12ME4_B72 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 20.8mm | ||
Länge 152mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon FF600R12ME4_B72 Serie IGBT-Modul, 1200 V Kollektor-Emitter-Spannung, 600 A Kollektorstrom – FF600R12ME4B72BOSA1
Dieses IGBT-Modul bietet Hochspannungsschaltung für anspruchsvolle Leistungsanwendungen und kombiniert eine Dual-Transistor-Topologie mit einem kompakten ECONODUAL-Gehäuse für die Oberflächenmontage. Er ist für große Dauerstromströme ausgelegt und arbeitet in einem breiten Temperaturbereich, wodurch er sich für industrielle Leistungsumwandlungs- und Motorsteuerungsumgebungen eignet.
Merkmale und Vorteile:
• 1200 V Blockierungsspannung bietet Hochspannungsschaltfähigkeit
• 600 A kontinuierlicher Kollektorstrom ermöglicht die Handhabung schwerer Lasten
• Niedrige VCE(sat) von 2,1 V reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Maximale Verlustleistung von 20 mW minimiert den internen Leistungsverlust
• Die Nennleistung des Gate-Emitters vom Typ N von 20 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannungen
• Dual-Transistor-Konfiguration unterstützt Halbbrücken- und Wechselrichter-Topologien
• 600 A kontinuierlicher Kollektorstrom ermöglicht die Handhabung schwerer Lasten
• Niedrige VCE(sat) von 2,1 V reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Maximale Verlustleistung von 20 mW minimiert den internen Leistungsverlust
• Die Nennleistung des Gate-Emitters vom Typ N von 20 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannungen
• Dual-Transistor-Konfiguration unterstützt Halbbrücken- und Wechselrichter-Topologien
Anwendungsbereich
• Geeignet für industrielle Motorantriebs-Leistungsstufen
• Einsatz mit Hochspannungswechselrichtersystemen in der Industrie
• Ideal für Hochstrom-Wandlermodule
• Kann für Stromversorgungen verwendet werden, die ein robustes Schalten erfordern
• Geeignet für Traktions- und große Antriebe, die zwei Schalter erfordern
• Einsatz mit Hochspannungswechselrichtersystemen in der Industrie
• Ideal für Hochstrom-Wandlermodule
• Kann für Stromversorgungen verwendet werden, die ein robustes Schalten erfordern
• Geeignet für Traktions- und große Antriebe, die zwei Schalter erfordern
Welche Stiftkonfiguration wird für die Leiterplatten-Integration verwendet?
Das Gerät verfügt über ein 11-poliges Layout, das für die Oberflächenmontage in einem ECONODUAL-Gehäuse formatiert ist.
Was sind die zulässigen Umgebungstemperaturgrenzen für den Betrieb?
Er arbeitet zuverlässig zwischen -40 °C und 150 °C maximale Betriebstemperatur.
Wie viele Transistoren sind integriert, und welche Topologie wird dadurch unterstützt?
Das Modul enthält zwei Transistoren, die Dual-Switch-Anordnungen wie Halbbrücken ermöglichen.
Welche physische Größe sollte ich in der Montageanordnung zulassen?
Die Komponente misst 152 x 62 x 20,8 mm und sorgt so für den entsprechenden Platzbedarf auf der Baugruppe.
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