Infineon IGBT / 30 A, 1350 V 330 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 218-4395
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N135R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 2,496 € | 74,88 € |
| 60 - 120 | 2,371 € | 71,13 € |
| 150 - 270 | 2,271 € | 68,13 € |
| 300 - 570 | 2,172 € | 65,16 € |
| 600 + | 2,022 € | 60,66 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-4395
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N135R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 30A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1350V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 330W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.65V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 ±25 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | IHW30N135R5 | |
| Breite | 16.13mm | |
| Normen/Zulassungen | JESD-022 | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Länge | 21.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 30A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1350V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 330W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.65V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 ±25 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie IHW30N135R5 | ||
Breite 16.13mm | ||
Normen/Zulassungen JESD-022 | ||
Höhe 5.21mm | ||
Länge 21.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
IGBT der Serie IHW30N135R5 von Infineon, 330 W maximale Verlustleistung, 30 A maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom – IHW30N135R5XKSA1
Dieser IGBT ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für die Leistungsumwandlung und -steuerung in anspruchsvollen industriellen Umgebungen entwickelt wurde. Er wird in einem TO-247-Gehäuse mit Durchgangsbohrung mit drei Stiften geliefert und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine hohe Spannungsbelastbarkeit und eine hohe Stromleitung erfordern, während er in einem breiten Temperaturbereich betrieben wird.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 1350 V ermöglicht den Betrieb in Hochspannungssystemen
• 30 A Dauerstrom unterstützen das Antrieb von schweren Lasten
• Die Verlustleistung von 330 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• 1,65 V VCE(sat) sorgt für geringere Leitungsverluste unter Last
• Die Gate-Emitter-Toleranz von ±20 V ermöglicht robuste Gate-Antriebsschwingungen
• Der Temperaturbereich von -40 °C bis 175 °C gewährleistet die Leistung in rauen Umgebungen
• 30 A Dauerstrom unterstützen das Antrieb von schweren Lasten
• Die Verlustleistung von 330 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• 1,65 V VCE(sat) sorgt für geringere Leitungsverluste unter Last
• Die Gate-Emitter-Toleranz von ±20 V ermöglicht robuste Gate-Antriebsschwingungen
• Der Temperaturbereich von -40 °C bis 175 °C gewährleistet die Leistung in rauen Umgebungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochspannungs-Motorantriebsstufen
• Ideal für industrielle Wechselrichter- und Wandlerkonstruktionen
• Verwendung mit Netzteilen, die eine Durchsteckmontage erfordern
• Kann für Traktions- und Leistungselektronik verwendet werden
• Geeignet für schnell schaltende Hochspannungsschaltkreise
• Ideal für industrielle Wechselrichter- und Wandlerkonstruktionen
• Verwendung mit Netzteilen, die eine Durchsteckmontage erfordern
• Kann für Traktions- und Leistungselektronik verwendet werden
• Geeignet für schnell schaltende Hochspannungsschaltkreise
Wie ist das Gehäuse und die Montageart des Geräts?
Er wird in einem TO-247-Gehäuse geliefert und ist für die Durchsteckmontage an Netzteilen konzipiert.
Wie verhält sich das Gerät bei Dauerbetrieb thermisch?
Er kann bis zu 330 W ableiten und ist für den Betrieb bei Gehäuse- oder Anschlusstemperaturen von bis zu 175 °C ausgelegt.
Welche Gate-Treiber-Grenzwerte müssen beachtet werden?
Die Gate-Emitter-Bewertung beträgt ±20 V, sodass die Antriebsschaltkreise innerhalb dieses Spannungsbereichs bleiben sollten.
Welche Schalt- oder Leitfähigkeiten sind für das Lastdesign vorgesehen?
Das Gerät unterstützt kontinuierliche Kollektorströme bis zu 30 A bei einer maximalen Kollektor-Emitter-Sättigung von 1,65 V.
Gibt es anerkannte Normen, die mit dem Gerät verbunden sind?
Er entspricht der Feuchtigkeitsempfindlichkeitsklasse JESD-022 für Handhabung und Lagerung.
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