Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 40 A, 1350 V 310 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
215-6635
Herst. Teile-Nr.:
IHW20N135R5XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

40A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1350V

Maximale Verlustleistung Pd

310W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

N

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.85V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±25 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

Resonant Switching

Breite

16.13mm

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, RoHS

Höhe

5.21mm

Länge

42mm

Automobilstandard

Nein

IGBT-Einzeltransistor-IC der Resonanzschaltserie von Infineon, 1350 V max. Kollektor-Emitter-Spannung, 40 A max. kontinuierlicher Kollektorstrom – IHW20N135R5XKSA1


Dieser IGBT-Einzeltransistor-IC ist ein Hochspannungsschaltgerät, das für Leistungsumwandlungsumgebungen entwickelt wurde, in denen eine robuste Kollektor-Emitter-Leistung erforderlich ist. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle thermische Bedingungen geeignet ist, und wird in einem TO-247-Gehäuse mit Durchgangsbohrung für die herkömmliche Leiterplattenmontage geliefert. Das Gerät richtet sich an resonante Schaltanwendungen, die eine hohe kontinuierliche Strombelastbarkeit und eine geringe Sättigung während der Leitung erfordern.

Merkmale und Vorteile:


• 1350 V Kollektor-Emitter-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsbetrieb
• 40 A kontinuierlicher Kollektorstrom unterstützt hohe Lastströme
• 1,85 V VCE(sat) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Gate-Emitter-Toleranz von ±25 V ermöglicht breite Antriebsspannungen
• 310 W Verlustleistung ermöglicht Schaltvorgänge mit hoher Leistung
• Der Betriebsbereich von -40 bis 175 °C hält extremen Temperaturen stand

Anwendungsbereich


• Geeignet für Resonanzwandler in Stromversorgungen
• Ideal für industrielle Motorantriebs-Wechselrichterstufen
• Wird mit Hochspannungs-Schaltnetzteilen verwendet
• Kann für Leistungsumwandlungsmodule der Nutzklasse verwendet werden
• Geeignet für Hochleistungs-DC/DC-Wandler-Topologien

Welche Befestigungsmethode erfordert dieses Gerät?


Er wird in einem TO-247-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das für die Montage auf einer gelöteten Leiterplatte und die Kühlung durch die Verpackungslasche vorgesehen ist.

Wie verwaltet der Transistor die Wärme im Dauerbetrieb?


Die maximale Verlustleistung von 310 W definiert die thermische Belastung, die es bewältigen kann, wenn es an einem geeigneten Wärmeweg wie einem Kühlkörper angebracht ist und einen korrekten Luftstrom aufweist.

Welche Gate-Drive-Beschränkungen müssen beachtet werden?


Die Gate-Emitter-Spannung muss innerhalb von ±25 V gehalten werden, um die Isolationsbelastung des Gates zu vermeiden und eine zuverlässige Schaltung zu gewährleisten.

Gibt es Material- oder gesetzliche Beschränkungen, die für die Konstruktion relevant sind?


Das Gerät entspricht den RoHS-Anforderungen und wird aus Materialien hergestellt, die den Normen der IEC 61249-2-21 für bestimmte Substratzusammensetzungen entsprechen.

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