Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 40 A, 1350 V 310 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 215-6636
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW20N135R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 40A | |
| Produkt Typ | IGBT-Einzel-Transistor-IC | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1350V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 310W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±25 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.85V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | Resonant Switching | |
| Breite | 16.13mm | |
| Länge | 42mm | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 40A | ||
Produkt Typ IGBT-Einzel-Transistor-IC | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1350V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 310W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±25 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.85V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie Resonant Switching | ||
Breite 16.13mm | ||
Länge 42mm | ||
Höhe 5.21mm | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
IGBT-Einzeltransistor-IC der Resonanzschaltserie von Infineon, 1350 V max. Kollektor-Emitter-Spannung, 40 A max. kontinuierlicher Kollektorstrom – IHW20N135R5XKSA1
Dieser IGBT-Einzeltransistor-IC ist ein Hochspannungsschaltgerät, das für Leistungsumwandlungsumgebungen entwickelt wurde, in denen eine robuste Kollektor-Emitter-Leistung erforderlich ist. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle thermische Bedingungen geeignet ist, und wird in einem TO-247-Gehäuse mit Durchgangsbohrung für die herkömmliche Leiterplattenmontage geliefert. Das Gerät richtet sich an resonante Schaltanwendungen, die eine hohe kontinuierliche Strombelastbarkeit und eine geringe Sättigung während der Leitung erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 1350 V Kollektor-Emitter-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsbetrieb
• 40 A kontinuierlicher Kollektorstrom unterstützt hohe Lastströme
• 1,85 V VCE(sat) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Gate-Emitter-Toleranz von ±25 V ermöglicht breite Antriebsspannungen
• 310 W Verlustleistung ermöglicht Schaltvorgänge mit hoher Leistung
• Der Betriebsbereich von -40 bis 175 °C hält extremen Temperaturen stand
• 40 A kontinuierlicher Kollektorstrom unterstützt hohe Lastströme
• 1,85 V VCE(sat) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Gate-Emitter-Toleranz von ±25 V ermöglicht breite Antriebsspannungen
• 310 W Verlustleistung ermöglicht Schaltvorgänge mit hoher Leistung
• Der Betriebsbereich von -40 bis 175 °C hält extremen Temperaturen stand
Anwendungsbereich
• Geeignet für Resonanzwandler in Stromversorgungen
• Ideal für industrielle Motorantriebs-Wechselrichterstufen
• Wird mit Hochspannungs-Schaltnetzteilen verwendet
• Kann für Leistungsumwandlungsmodule der Nutzklasse verwendet werden
• Geeignet für Hochleistungs-DC/DC-Wandler-Topologien
• Ideal für industrielle Motorantriebs-Wechselrichterstufen
• Wird mit Hochspannungs-Schaltnetzteilen verwendet
• Kann für Leistungsumwandlungsmodule der Nutzklasse verwendet werden
• Geeignet für Hochleistungs-DC/DC-Wandler-Topologien
Welche Befestigungsmethode erfordert dieses Gerät?
Er wird in einem TO-247-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das für die Montage auf einer gelöteten Leiterplatte und die Kühlung durch die Verpackungslasche vorgesehen ist.
Wie verwaltet der Transistor die Wärme im Dauerbetrieb?
Die maximale Verlustleistung von 310 W definiert die thermische Belastung, die es bewältigen kann, wenn es an einem geeigneten Wärmeweg wie einem Kühlkörper angebracht ist und einen korrekten Luftstrom aufweist.
Welche Gate-Drive-Beschränkungen müssen beachtet werden?
Die Gate-Emitter-Spannung muss innerhalb von ±25 V gehalten werden, um die Isolationsbelastung des Gates zu vermeiden und eine zuverlässige Schaltung zu gewährleisten.
Gibt es Material- oder gesetzliche Beschränkungen, die für die Konstruktion relevant sind?
Das Gerät entspricht den RoHS-Anforderungen und wird aus Materialien hergestellt, die den Normen der IEC 61249-2-21 für bestimmte Substratzusammensetzungen entsprechen.
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