Infineon IGBT / 30 A 20V max. , 1600 V 263 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 218-4399
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N160R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
23,30 €
(ohne MwSt.)
27,75 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 10 Einheit(en) versandfertig
- Zusätzlich 45 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 3.145 Einheit(en) mit Versand ab 02. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 4,66 € | 23,30 € |
| 10 - 20 | 4,194 € | 20,97 € |
| 25 - 45 | 3,914 € | 19,57 € |
| 50 - 120 | 3,634 € | 18,17 € |
| 125 + | 3,402 € | 17,01 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-4399
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N160R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 30 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 20V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 263 W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 16.3 x 21.5 x 5.3mm | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Gate-Kapazität | 1500pF | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 30 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1600 V | ||
Gate-Source Spannung max. 20V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 263 W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 16.3 x 21.5 x 5.3mm | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Gate-Kapazität 1500pF | ||
Infineon IGBT, 30 A maximaler Kollektor-Dauerstrom, 1600 V maximale Kollektor-Emitter-Spannung - IHW30N160R5XKSA1
Bei diesem IGBT handelt es sich um ein robustes Halbleiterbauelement für Hochspannungsanwendungen mit einem maximalen Kollektorstrom von 30 A, das in einem Temperaturbereich von -40°C bis +175°C arbeitet. Das TO-247-Gehäuse gewährleistet eine bequeme Installation, während die Abmessungen von 16,3 x 21,5 x 5,3 mm eine kompakte Lösung für verschiedene elektronische Anforderungen darstellen.
Eigenschaften und Vorteile
• Rückwärtsleitende Fähigkeit für verbesserte Leistung
• Monolithische Body-Diode reduziert den Durchlassspannungsverlust
• Enge Parameterverteilung erhöht die Zuverlässigkeit
• Hohe Robustheit verbessert die Haltbarkeit unter anspruchsvollen Bedingungen
• Geringe EMI-Emissionen sorgen für minimale Störungen in Schaltkreisen
• Monolithische Body-Diode reduziert den Durchlassspannungsverlust
• Enge Parameterverteilung erhöht die Zuverlässigkeit
• Hohe Robustheit verbessert die Haltbarkeit unter anspruchsvollen Bedingungen
• Geringe EMI-Emissionen sorgen für minimale Störungen in Schaltkreisen
Anwendungen
• Für das Induktionskochen
• Geeignet für Mikrowellenherdschaltungen
• Ideal für verschiedene Hochspannungsschaltungen
• Kompatibel mit speziellen Halbleiter-Leistungsmodulen
• Geeignet für Mikrowellenherdschaltungen
• Ideal für verschiedene Hochspannungsschaltungen
• Kompatibel mit speziellen Halbleiter-Leistungsmodulen
Was sind die wichtigsten thermischen Eigenschaften dieses Geräts?
Der Wärmewiderstand von der Sperrschicht zur Umgebung beträgt 40 K/W, und der Wärmewiderstand von der Sperrschicht zum Gehäuse beträgt 0,57 K/W, was ein effizientes Wärmemanagement unter Lastbedingungen gewährleistet.
Wie verhält sich dieses IGBT-Modul bei Hochspannungsanwendungen?
Mit einer Kollektor-Emitter-Spannung von bis zu 1600 V eignet er sich für Hochspannungsumgebungen und gewährleistet gleichzeitig einen sicheren Betrieb innerhalb der vorgegebenen Grenzen.
Welche Auswirkungen hat die maximale Verlustleistung auf die Konstruktion?
Mit einer maximalen Verlustleistung von 263 W ermöglicht er ein effizientes Energiemanagement und stellt sicher, dass das Gerät in typischen Anwendungen effektiv und ohne thermische Überlastung arbeiten kann.
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 30 A 20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 30 A 20V max. , 600 V 110 W TO-263-3
- Infineon IGBT / 150 A ±20V max. 3-Pin TO-247
- Infineon IGBT / 75 A ±20V max. 3-Pin TO-247
- Infineon IGBT / 80 A ±20V max. 3-Pin TO-247
- Infineon IGBT / 100 A ±20V max. 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics IGBT / 85 A 20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 80 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
