Infineon IGBT / 30 A, 1600 V 263 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

20,10 €

(ohne MwSt.)

23,90 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 3.070 Einheit(en) mit Versand ab 10. März 2026
  • Zusätzlich 240 Einheit(en) mit Versand ab 23. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 54,02 €20,10 €
10 - 203,62 €18,10 €
25 - 453,376 €16,88 €
50 - 1203,136 €15,68 €
125 +2,936 €14,68 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
218-4399
Distrelec-Artikelnummer:
304-31-963
Herst. Teile-Nr.:
IHW30N160R5XKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

30A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1600V

Anzahl an Transistoren

1

Maximale Verlustleistung Pd

263W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.85V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 ±25 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

JEDEC47/20/22

Länge

21.5mm

Höhe

5.3mm

Breite

16.3 mm

Serie

IHW30N160R5

Automobilstandard

Nein

Infineon IGBT, 30 A maximaler Kollektor-Dauerstrom, 1600 V maximale Kollektor-Emitter-Spannung - IHW30N160R5XKSA1


Bei diesem IGBT handelt es sich um ein robustes Halbleiterbauelement für Hochspannungsanwendungen mit einem maximalen Kollektorstrom von 30 A, das in einem Temperaturbereich von -40°C bis +175°C arbeitet. Das TO-247-Gehäuse gewährleistet eine bequeme Installation, während die Abmessungen von 16,3 x 21,5 x 5,3 mm eine kompakte Lösung für verschiedene elektronische Anforderungen darstellen.

Eigenschaften und Vorteile


• Rückwärtsleitende Fähigkeit für verbesserte Leistung

• Monolithische Body-Diode reduziert den Durchlassspannungsverlust

• Enge Parameterverteilung erhöht die Zuverlässigkeit

• Hohe Robustheit verbessert die Haltbarkeit unter anspruchsvollen Bedingungen

• Geringe EMI-Emissionen sorgen für minimale Störungen in Schaltkreisen

Anwendungen


• Für das Induktionskochen

• Geeignet für Mikrowellenherdschaltungen

• Ideal für verschiedene Hochspannungsschaltungen

• Kompatibel mit speziellen Halbleiter-Leistungsmodulen

Was sind die wichtigsten thermischen Eigenschaften dieses Geräts?


Der Wärmewiderstand von der Sperrschicht zur Umgebung beträgt 40 K/W, und der Wärmewiderstand von der Sperrschicht zum Gehäuse beträgt 0,57 K/W, was ein effizientes Wärmemanagement unter Lastbedingungen gewährleistet.

Wie verhält sich dieses IGBT-Modul bei Hochspannungsanwendungen?


Mit einer Kollektor-Emitter-Spannung von bis zu 1600 V eignet er sich für Hochspannungsumgebungen und gewährleistet gleichzeitig einen sicheren Betrieb innerhalb der vorgegebenen Grenzen.

Welche Auswirkungen hat die maximale Verlustleistung auf die Konstruktion?


Mit einer maximalen Verlustleistung von 263 W ermöglicht er ein effizientes Energiemanagement und stellt sicher, dass das Gerät in typischen Anwendungen effektiv und ohne thermische Überlastung arbeiten kann.

Verwandte Links