Infineon IGBT / 30 A 20V max. , 1600 V 263 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

86,88 €

(ohne MwSt.)

103,38 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 3.120 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 - 302,896 €86,88 €
60 - 1202,751 €82,53 €
150 +2,635 €79,05 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
218-4398
Herst. Teile-Nr.:
IHW30N160R5XKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

30 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1600 V

Gate-Source Spannung max.

20V

Verlustleistung max.

263 W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

TO-247

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Infineon IGBT, 30 A maximaler Kollektor-Dauerstrom, 1600 V maximale Kollektor-Emitter-Spannung - IHW30N160R5XKSA1


Bei diesem IGBT handelt es sich um ein robustes Halbleiterbauelement für Hochspannungsanwendungen mit einem maximalen Kollektorstrom von 30 A, das in einem Temperaturbereich von -40°C bis +175°C arbeitet. Das TO-247-Gehäuse gewährleistet eine bequeme Installation, während die Abmessungen von 16,3 x 21,5 x 5,3 mm eine kompakte Lösung für verschiedene elektronische Anforderungen darstellen.

Eigenschaften und Vorteile


• Rückwärtsleitende Fähigkeit für verbesserte Leistung
• Monolithische Body-Diode reduziert den Durchlassspannungsverlust
• Enge Parameterverteilung erhöht die Zuverlässigkeit
• Hohe Robustheit verbessert die Haltbarkeit unter anspruchsvollen Bedingungen
• Geringe EMI-Emissionen sorgen für minimale Störungen in Schaltkreisen

Anwendungen


• Für das Induktionskochen
• Geeignet für Mikrowellenherdschaltungen
• Ideal für verschiedene Hochspannungsschaltungen
• Kompatibel mit speziellen Halbleiter-Leistungsmodulen

Was sind die wichtigsten thermischen Eigenschaften dieses Geräts?


Der Wärmewiderstand von der Sperrschicht zur Umgebung beträgt 40 K/W, und der Wärmewiderstand von der Sperrschicht zum Gehäuse beträgt 0,57 K/W, was ein effizientes Wärmemanagement unter Lastbedingungen gewährleistet.

Wie verhält sich dieses IGBT-Modul bei Hochspannungsanwendungen?


Mit einer Kollektor-Emitter-Spannung von bis zu 1600 V eignet er sich für Hochspannungsumgebungen und gewährleistet gleichzeitig einen sicheren Betrieb innerhalb der vorgegebenen Grenzen.

Welche Auswirkungen hat die maximale Verlustleistung auf die Konstruktion?


Mit einer maximalen Verlustleistung von 263 W ermöglicht er ein effizientes Energiemanagement und stellt sicher, dass das Gerät in typischen Anwendungen effektiv und ohne thermische Überlastung arbeiten kann.

Verwandte Links