Infineon IGBT / 75 A ±20V max., 1200 V 270 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 911-4785
Herst. Teile-Nr.:: IGW40T120FKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 75 A ±20V max., 1200 V 270 W, 3-Pin TO-247

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Preis pro Stück (In einer Stange von 30)

4,744 €

(ohne MwSt.)

5,645 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
30 - 30	4,744 €	142,32 €
60 - 120	4,507 €	135,21 €
150 +	4,318 €	129,54 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 911-4785
Herst. Teile-Nr.:: IGW40T120FKSA1
Marke:: Infineon

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Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: DE

Produktdetails

TrenchStop-IGBT-Transistoren von Infineon, 1100–1600 V

Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 1100 bis 1600 V mit TrenchStop™-Technologie. Die Serie umfasst Geräte mit integrierter antiparallel geschalteter Hochgeschwindigkeitsdiode mit kurzer Erholzeit.

• Kollektor-Emitter-Spannung von 1100 bis 1600 V
• Sehr geringer VCEsat
• Geringe Abschaltverluste
• Kurzer Endstrom
• Geringe elektromagnetische Störungen
• Maximale Verbindungstemperatur: 175 °C

IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Dauer-Kollektorstrom max.	75 A
Kollektor-Emitter-Spannung	1200 V
Gate-Source Spannung max.	±20V
Verlustleistung max.	270 W
Gehäusegröße	TO-247
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Transistor-Konfiguration	Einfach
Abmessungen	16.13 x 21.1 x 5.21mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Betriebstemperatur min.	–40 °C