Infineon IGBT / 75 A ±20V max. , 1200 V 549 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 273-2981
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW75N120CH7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Infineon IGBT7 Die diskrete H7-Technologie in TO-247 3-poligem Gehäuse wurde entwickelt, um die Anforderungen in Anwendungen, die sich auf die Dekarbonisierung konzentrieren, wie z. B. Solar-Photovoltaik, Unterbrechungsnetzteile und Akkuladegeräte.
Optimierte Leistung unter Anwendungsbedingungen
Feuchtigkeitsbeständigkeit unter rauen Umgebungen
Verbesserte EMI-Leistung
Feuchtigkeitsbeständigkeit unter rauen Umgebungen
Verbesserte EMI-Leistung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 75 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V, ±30V |
| Anzahl an Transistoren | 1 |
| Verlustleistung max. | 549 W |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Montage-Typ | THT |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
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