Infineon IGBT / 100 A ±20V max. , 1200 V 361 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 273-2973
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ100N120CH7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 273-2973
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ100N120CH7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 100 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 361 W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Konfiguration | Common Emitter | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 100 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 361 W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Konfiguration Common Emitter | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Der diskrete Infineon IGBT7 H7 im TO-247PLUS-3-poligen Gehäuse wurde entwickelt, um die Nachfrage in Anwendungen zu erfüllen, die sich auf die Dekarbonisierung konzentrieren, wie z. B. Solar-Photovoltaik, Unterbrechungsnetzteile und Akkuladegeräte.
Optimierte Leistung unter Anwendungsbedingungen
Niedrigste Leitungsverluste
Feuchtigkeitsbeständigkeit unter rauen Umgebungen
Verbesserte EMI-Leistung
Niedrigste Leitungsverluste
Feuchtigkeitsbeständigkeit unter rauen Umgebungen
Verbesserte EMI-Leistung
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