Teile-Nr.

Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 40 A, 600 V 166 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

RS Best.-Nr.:: 215-6613
Herst. Teile-Nr.:: AIKW20N60CTXKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 40 A, 600 V 166 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:: 215-6613
Herst. Teile-Nr.:: AIKW20N60CTXKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic	40A
	Produkt Typ	IGBT-Einzel-Transistor-IC
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	600V
	Maximale Verlustleistung Pd	166W
	Gehäusegröße	TO-247
	Montageart	Durchsteckmontage
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Pinanzahl	3
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	20 V
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT	1.5V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	16.13 mm
	Länge	42mm
	Höhe	5.21mm
	Normen/Zulassungen	No
	Serie	TrenchStop
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 40A
	Produkt Typ IGBT-Einzel-Transistor-IC
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V
	Maximale Verlustleistung Pd 166W
	Gehäusegröße TO-247
	Montageart Durchsteckmontage
	Kabelkanaltyp Typ N
	Pinanzahl 3
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.5V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 16.13 mm
	Länge 42mm
	Höhe 5.21mm
	Normen/Zulassungen No
	Serie TrenchStop
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet-AIKW20N60CTXKSA1

Der Infineon bipolare Transistor mit isoliertem Gate und antiparalleler, über Emitter gesteuerter Diode mit schneller Erholung.

Hoher Wirkungsgrad

Niedrige Schaltverluste

Erhöhte Zuverlässigkeit

Geringe elektromagnetische Störungen

Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 40 A, 600 V 166 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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