Teile-Nr.

Infineon IGBT / 34 A ±20 V, ±30 V max., 600 V 111 W, 3-Pin PG-TO247-3-AI

RS Best.-Nr.:: 215-6658
Herst. Teile-Nr.:: IKFW40N60DH3EXKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 34 A ±20 V, ±30 V max., 600 V 111 W, 3-Pin PG-TO247-3-AI

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

75,75 €

(ohne MwSt.)

90,15 €

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Auf Lager

1.620 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
30 +	2,525 €	75,75 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 215-6658
Herst. Teile-Nr.:: IKFW40N60DH3EXKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	34 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	600 V
	Gate-Source Spannung max.	±20 V, ±30 V
	Verlustleistung max.	111 W
	Gehäusegröße	PG-TO247-3-AI
	Pinanzahl	3
	Transistor-Konfiguration	Isoliert

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 34 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 600 V
	Gate-Source Spannung max. ±20 V, ±30 V
	Verlustleistung max. 111 W
	Gehäusegröße PG-TO247-3-AI
	Pinanzahl 3
	Transistor-Konfiguration Isoliert

Datasheet-IKFW40N60DH3EXKSA1

Die Infineon Hochgeschwindigkeits-Schaltserie mit isoliertem Gate-Bipolartransistor, schnelle und weiche antiparallele Diode in vollständig isoliertem Gehäuse.

Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen

Infineon IGBT / 34 A ±20 V, ±30 V max., 600 V 111 W, 3-Pin PG-TO247-3-AI

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Verwandte Links