Teile-Nr.

Infineon IGBT / 34 A ±20 V, ±30 V max., 600 V 111 W, 3-Pin PG-TO247-3-AI

RS Best.-Nr.:: 215-6659
Herst. Teile-Nr.:: IKFW40N60DH3EXKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 34 A ±20 V, ±30 V max., 600 V 111 W, 3-Pin PG-TO247-3-AI

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RS Best.-Nr.:: 215-6659
Herst. Teile-Nr.:: IKFW40N60DH3EXKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	34 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	600 V
	Gate-Source Spannung max.	±20 V, ±30 V
	Verlustleistung max.	111 W
	Gehäusegröße	PG-TO247-3-AI
	Pinanzahl	3
	Transistor-Konfiguration	Isoliert

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 34 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 600 V
	Gate-Source Spannung max. ±20 V, ±30 V
	Verlustleistung max. 111 W
	Gehäusegröße PG-TO247-3-AI
	Pinanzahl 3
	Transistor-Konfiguration Isoliert

Datasheet-IKFW40N60DH3EXKSA1

Die Infineon Hochgeschwindigkeits-Schaltserie mit isoliertem Gate-Bipolartransistor, schnelle und weiche antiparallele Diode in vollständig isoliertem Gehäuse.

Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen

Infineon IGBT / 34 A ±20 V, ±30 V max., 600 V 111 W, 3-Pin PG-TO247-3-AI

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