Infineon IGBT / 166 A, 1200 V 361 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 273-2974
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ100N120CH7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 166A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 361W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 66ns | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, JEDEC47/20/22 | |
| Breite | 15.7mm | |
| Serie | IKQ | |
| Länge | 20.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 166A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 361W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 66ns | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, JEDEC47/20/22 | ||
Breite 15.7mm | ||
Serie IKQ | ||
Länge 20.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
IGBT der IKQ-Serie von Infineon, 1200 V maximale Gate-Emitter-Spannung, 166 A maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom – IKQ100N120CH7XKSA1
Dieser IGBT ist ein Halbleiter-Schaltgerät mit drei Anschlüssen, das für Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde. Er funktioniert über einen breiten Temperaturbereich und wird in einem TO-247-Gehäuse mit Durchgangsbohrung für eine robuste Leiterplattenmontage geliefert. Das Gerät erfüllt die gängigen Industriestandards für Materialien und Prüfungen und eignet sich daher für Stromumwandlungsaufgaben, bei denen hohe Spannungen und hohe Strombelastbarkeit erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• 166 A Dauerstrom unterstützt schwere Schaltvorgänge
• Die Gate-Emitter-Bewertung von 1200 V ermöglicht den Hochspannungsbetrieb
• 2-V-Kollektor-Emitter-Sättigung reduziert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 361 W ermöglicht eine anhaltende thermische Belastung
• RoHS- und JEDEC-Zulassungen vereinfachen die rechtliche Akzeptanz
• Die Gate-Emitter-Bewertung von 1200 V ermöglicht den Hochspannungsbetrieb
• 2-V-Kollektor-Emitter-Sättigung reduziert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 361 W ermöglicht eine anhaltende thermische Belastung
• RoHS- und JEDEC-Zulassungen vereinfachen die rechtliche Akzeptanz
Anwendungsbereich
• Geeignet für Leistungswandler in industriellen Antrieben
• Ideal für Wechselrichterstufen in erneuerbaren Anlagen
• Verwendung mit Hochstrom-Motorsteuerungen
• Kann für unterbrechungsfreie Stromversorgungsstufen verwendet werden
• Geeignet für Hochspannungsschaltvorgänge in der Leistungselektronik
• Ideal für Wechselrichterstufen in erneuerbaren Anlagen
• Verwendung mit Hochstrom-Motorsteuerungen
• Kann für unterbrechungsfreie Stromversorgungsstufen verwendet werden
• Geeignet für Hochspannungsschaltvorgänge in der Leistungselektronik
Welcher Gehäusetyp wird für die Montage auf einer Leiterplatte verwendet?
Er wird in einem TO‐247-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das für die sichere Befestigung der Leiterplatte ausgelegt ist.
Welchem Temperaturbereich kann er während des Betriebs standhalten?
Das Gerät ist für den Betrieb von -40 °C bis 175 °C ausgelegt.
Wie viele elektrische Verbindungen bietet es?
Er verfügt über eine dreipolige Konfiguration für Gate-, Kollektor- und Emitteranschlüsse.
Erfüllt es anerkannte Umwelt- und Prüfstandards?
Er ist RoHS-konform und entspricht den JEDEC47/20/22-Prüfrichtlinien.
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