Infineon IGBT / 25 A ±20V max. , 1200 V 250 W, 3-Pin To-247-3 N-Kanal

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
232-6728
Herst. Teile-Nr.:
IKW25N120CS7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

25 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

250 W

Anzahl an Transistoren

1

Konfiguration

Single

Gehäusegröße

To-247-3

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Das diskrete 25-A-Trenchstop-IGBT7-S7-Gehäuse von Infineon wird in TO-247-Gehäuse mit EC7-Diode geliefert. Es bietet einen niedrigen VCEsat, um sehr niedrige Leitungsverluste in Zielanwendungen zu erreichen, und die kogepackte, sehr weiche und schnelle Emitter-gesteuerte Diode hilft, Schaltverluste zu minimieren, die zu insgesamt niedrigen Gesamtverlusten beitragen. Mögliche Anwendungen umfassen industrielle Antriebe, industrielle Netzteile und Solarwechselrichter.

Gute Steuerbarkeit
Voll ausgelegte Freilaufdiode mit verbesserter Weichheit
Höhere Leistungsdichte ohne Kühlkörper-Redesign
Einfache Bauweise zur Erfüllung der EMI-Anforderungen

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