Infineon IGBT / 600 A, 1200 V, 7-Pin AG-62MM N-Kanal Oberfläche

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Herst. Teile-Nr.:
FF600R12KE4BOSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

600A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Anzahl an Transistoren

2

Gehäusegröße

AG-62MM

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

N

Pinanzahl

7

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.2V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

UL Approved (E83335)

Breite

61.4mm

Serie

FF600R12KE4

Höhe

30.9mm

Länge

106.4mm

Automobilstandard

Nein

Infineon FF600R12KE4 Serie IGBT, 1200 V maximale Kollektor-Emitter-Spannung, 600 A maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom – FF600R12KE4BOSA1


Dieser IGBT ist ein oberflächenmontierter Leistungshalbleiter, der für Hochspannungsschaltungen in industriellen Stromversorgungssystemen entwickelt wurde. Er kombiniert zwei Transistoren in einem einzigen 7-poligen Gehäuse, um schwere Gleichströme zu bewältigen und gleichzeitig über einen breiten Temperaturbereich zu arbeiten, wodurch er sich für anspruchsvolle elektrische Steuerungs- und Umwandlungsaufgaben eignet.

Merkmale und Vorteile:


• Die Kollektor-Emitter-Bewertung von 1200 V ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• 600 A kontinuierlicher Kollektorstrom unterstützt hohe Stromlasten
• 2,2 V VCE(sat) minimiert Leitungsverluste bei hohen Strömen
• 20-V-Gate-Emitter-Toleranz ermöglicht robuste Gate-Treiber-Margen
• Die UL E83335-Zulassung bestätigt die anerkannte Sicherheitsbewertung
• Arbeitet zwischen -40 °C und 150 °C für einen erweiterten thermischen Bereich

Anwendungsbereich


• Geeignet für industrielle Stromwandler, die hohe Spannungen bewältigen
• Wird für Traktionsumrichter verwendet, die einen hohen Dauerstrom erfordern
• Ideal für Hochstrom-Motorantriebe
• Kann für Wechselrichterstapeln für erneuerbare Energien verwendet werden
• Geeignet für Stromversorgungen in Hochleistungs-Automatisierungssystemen

Welches Gehäuseformat nutzt das Gerät für die Montage?


Er wird in einem oberflächenmontierbaren AG‐62MM-Gehäuse geliefert.

Wie viele Transistorelemente befinden sich im Modul?


Das Modul enthält zwei Transistoren in einer dualen Konfiguration.

Welche Anzahl von Pins sollten Entwickler auf der Leiterplatte aufnehmen?


Die Entwickler sollten eine 7-polige Grundfläche zulassen.

Welche Außendimensionen sind bei der Gehäusedesign zu berücksichtigen?


Die Bauteilabmessungen betragen 61,4 mm Breite, 106,4 mm Länge und 30,9 mm Höhe.

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