Infineon IGBT / 83 A ±20V max., 650 V 251 W, 3-Pin PG-TO247-3
- RS Best.-Nr.:
- 225-0575
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW50N65R6XKSA1
- Marke:
- Infineon
Preis pro Stück (In einer Stange von 240)
2,007 €
(ohne MwSt.)
2,388 €
(inkl. MwSt.)
999999999 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 240 - 240 | 2,007 € | 481,68 € |
| 480 + | 1,906 € | 457,44 € |
*Bitte VPE beachten
Nicht als Expresslieferung erhältlich
- RS Best.-Nr.:
- 225-0575
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW50N65R6XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Infineon IHW50N65R6 ist der 650-V-, 50-A-IGBT mit monolithisch integrierter Diode im TO-247-Gehäuse mit monolithisch integrierter Diode, der die anspruchsvollen Anforderungen von Induktionsheizungsanwendungen mit Halbbrücken-Resonanztopologie erfüllt.
Frequenzbereich: 20-75 kHz
Geringe elektromagnetische Störungen
Sehr enge Parameter Verteilung
Maximaler TJ-Betrieb von 175 °C.
Geringe elektromagnetische Störungen
Sehr enge Parameter Verteilung
Maximaler TJ-Betrieb von 175 °C.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 83 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 251 W |
| Gehäusegröße | PG-TO247-3 |
| Pinanzahl | 3 |
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