Infineon IGBT / 12 A 20V max. , 600 V 88 W, 3-Pin PG-TO252 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
226-6074
Herst. Teile-Nr.:
IGD06N60TATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

12 A

Kollektor-Emitter-Spannung

600 V

Gate-Source Spannung max.

20V

Verlustleistung max.

88 W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

PG-TO252

Konfiguration

Single

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Die Infineon IGD06N60T ist eine sehr weiche, antiparallele Emitter-gesteuerte Diode mit schneller Erholung und hat eine hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten. Er hat einen geringen Schaltverlust.

Sehr niedriger VCE(sat) 1,5 V (typ.)
Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.
Kurzschlussfestigkeit: 5 Mikrosekunde

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