Infineon IGBT / 74 A 30V max. , 650 V 255 W, 3-Pin PG-TO220 N-Kanal

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
226-6107
Herst. Teile-Nr.:
IKP40N65F5XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

74 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

30V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

255 W

Konfiguration

Single

Gehäusegröße

PG-TO220

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Der Infineon IkP40N65F5 ist ein 650-V-Hochgeschwindigkeits-IGBT mit harter Schaltgeschwindigkeit, der mit der Rapid-i-Dioden-Technologie zusammengesteckt wird. Es hat eine höhere Leistungsdichte und verfügt über niedrige CoEs/EOSS.

Faktor 2,5 niedriger Qg
Reduzierung der Schaltverluste um Faktor 2
200 mV Reduzierung des VCEsat

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