Infineon IGBT / 75 A, 1200 V 20 mW, 31-Pin Modul Typ N-Kanal Fahrgestell

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232-6717
Herst. Teile-Nr.:
FP75R12N2T7B11BPSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

75A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Anzahl an Transistoren

7

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Gehäusegröße

Modul

Montageart

Fahrgestell

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

31

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.55V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

107.5mm

Höhe

21.3mm

Breite

45 mm

Normen/Zulassungen

No

Serie

FP75R12N2T7_B11

Automobilstandard

Nein

Das dreiphasige PIM-IGBT-Modul EconoPIM 2, 75 A von Infineon wird mit Trenchstop IGBT7, Emitter-gesteuerter 7-Diode, NTC- und Pressfit-Kontakttechnologie geliefert. Das PIM (Power Integrated Modules) mit Integration von Gleichrichter und Brems-Chopper ermöglicht Kosteneinsparungen. Mögliche Anwendungen umfassen Hilfswechselrichter, Motorantriebe und Servoantriebe.

RoHS-konforme Module

Kupfergrundplatte für optimierte Wärmeverteilung

Hohe Leistungsdichte

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