Infineon IGBT / 150 A, 1.2 kV 20 mW, 32-Pin Modul Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 232-6721
- Herst. Teile-Nr.:
- FS150R12N2T7BPSA1
- Marke:
- Infineon
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- FS150R12N2T7BPSA1
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 150A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1.2kV | |
| Anzahl an Transistoren | 6 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Gehäusegröße | Modul | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 32 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.8V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 45 mm | |
| Länge | 107.5mm | |
| Höhe | 20.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | FS150R12N2T7 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 150A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1.2kV | ||
Anzahl an Transistoren 6 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Gehäusegröße Modul | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 32 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.8V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 45 mm | ||
Länge 107.5mm | ||
Höhe 20.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie FS150R12N2T7 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das sechsackige IGBT-Modul EconoPACK 2, 150 A von Infineon wird mit Trenchstop IGBT7, Emitter-gesteuerter 7-Diode und NTC geliefert. Auch als Variante mit Presssitz-Montagetechnik erhältlich. Mögliche Anwendungen umfassen Motorantriebe, Hilfswechselrichter und Servoantriebe.
Überlastbetrieb bis zu 175 °C.
Kupfergrundplatte
Hohe Leistung und thermische Schaltleistung
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