Infineon IGBT / 50 A, 1.2 kV 428 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 232-6732
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N120CS7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- 232-6732
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N120CS7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 50A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1.2kV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 428W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | IKW50N120CS7 | |
| Breite | 16.3mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22 | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Länge | 21.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 50A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1.2kV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 428W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie IKW50N120CS7 | ||
Breite 16.3mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22 | ||
Höhe 5.3mm | ||
Länge 21.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon IKW50N120CS7 Serie IGBT, 1200 V maximale Kollektor-Emitter-Spannung, 50 A maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom – IKW50N120CS7XKSA1
Merkmale und Vorteile:
• 50 A Dauerstrom unterstützt Anwendungen mit hoher Belastung
• Maximal 2 V Vce(sat) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 428 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Die Gate-Emitter-Grenzwert von ±20 V ermöglicht robuste Gate-Drive-Swings
• Die JEDEC47/20/22-Zulassung gewährleistet standardisierte Prüfkonformität
Anwendungsbereich
• Ideal für Hochspannungs-DC/DC-Wandlungsmodule
• Wird mit Stromversorgungen für schwere Industrieanlagen verwendet
• Kann für Schaltnetzteil-Umwandlungssysteme verwendet werden
• Geeignet für Hochspannungs-Labortests
Welche Gehäuseart und Montageart wird verwendet?
Welchen Temperaturbereich verträgt er während des Betriebs?
Wie viele Transistorelemente sind im Gerät enthalten?
Wie hoch, breit und lang ist das Gehäuse?
Ist diese Komponente für Kfz-Standardanwendungen vorgesehen?
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