Infineon IGBT / 50 A, 1200 V 428 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 232-6732
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N120CS7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 50A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 428W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 21.5mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22 | |
| Breite | 16.3mm | |
| Serie | IKW50N120CS7 | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 50A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 428W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 21.5mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22 | ||
Breite 16.3mm | ||
Serie IKW50N120CS7 | ||
Höhe 5.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon IKW50N120CS7 Serie IGBT, 1200 V maximale Kollektor-Emitter-Spannung, 50 A maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom – IKW50N120CS7XKSA1
Dieser IGBT ist ein Leistungs-Schaltgerät im TO-247-Gehäuse mit Durchsteckbohrung, das für Hochspannungselektronik entwickelt wurde. Er funktioniert als N-Kanal-Transistor und eignet sich für Systeme, die eine hohe Kollektor-Emitter-Spannung und eine hohe Dauerstromkapazität erfordern, und arbeitet in einem breiten Umgebungstemperaturbereich für den industriellen Einsatz.
Merkmale und Vorteile:
• 1200 V Kollektor-Emitter-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 50 A Dauerstrom unterstützt Anwendungen mit hoher Belastung
• Maximal 2 V Vce(sat) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 428 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Die Gate-Emitter-Grenzwert von ±20 V ermöglicht robuste Gate-Drive-Swings
• Die JEDEC47/20/22-Zulassung gewährleistet standardisierte Prüfkonformität
• 50 A Dauerstrom unterstützt Anwendungen mit hoher Belastung
• Maximal 2 V Vce(sat) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 428 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Die Gate-Emitter-Grenzwert von ±20 V ermöglicht robuste Gate-Drive-Swings
• Die JEDEC47/20/22-Zulassung gewährleistet standardisierte Prüfkonformität
Anwendungsbereich
• Geeignet für industrielle Motor-Frequenzumrichter-Stufen
• Ideal für Hochspannungs-DC/DC-Wandlungsmodule
• Wird mit Stromversorgungen für schwere Industrieanlagen verwendet
• Kann für Schaltnetzteil-Umwandlungssysteme verwendet werden
• Geeignet für Hochspannungs-Labortests
• Ideal für Hochspannungs-DC/DC-Wandlungsmodule
• Wird mit Stromversorgungen für schwere Industrieanlagen verwendet
• Kann für Schaltnetzteil-Umwandlungssysteme verwendet werden
• Geeignet für Hochspannungs-Labortests
Welche Gehäuseart und Montageart wird verwendet?
Er wird in einem TO-247-Gehäuse geliefert und ist für die Durchsteckmontage ausgelegt.
Welchen Temperaturbereich verträgt er während des Betriebs?
Er ist für den Betrieb bei Temperaturen von -55 °C bis maximal 175 °C ausgelegt.
Wie viele Transistorelemente sind im Gerät enthalten?
Das Gerät besteht aus einem einzigen Transistorelement.
Wie hoch, breit und lang ist das Gehäuse?
Das Gehäuse misst 5,3 mm in der Höhe, 16,3 mm in der Breite und 21,5 mm in der Länge.
Ist diese Komponente für Kfz-Standardanwendungen vorgesehen?
Nein, es ist nicht spezifiziert für den Einsatz im Automobilstandard.
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