Infineon IGBT / 30 A, 650 V 165 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 232-6738
- Herst. Teile-Nr.:
- IKWH30N65WR6XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- IKWH30N65WR6XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 30A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 165W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.75V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22 | |
| Breite | 16.13mm | |
| Serie | IKWH30N65WR6 | |
| Länge | 21.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 30A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 165W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.75V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.21mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22 | ||
Breite 16.13mm | ||
Serie IKWH30N65WR6 | ||
Länge 21.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 30-A-Trenchstop 5 WR6-IGBT von Infineon ist in einem TO-247-3-HCC-Gehäuse mit hohem Kriechgang und Spiel erhältlich. Er ist speziell für PFC für RAC/CAC- und Schweißwechselrichteranwendungen optimiert. Das ausgezeichnete Preis-Leistungs-Verhältnis des WR6 IGBT ermöglicht den Zugriff auf die Hochleistungstechnologie auch für kostenempfindliche Kunden. WR6 bietet niedrigste VCEsat und ESW, was eine Schaltfrequenz von bis zu 75 kHz ermöglicht. WR6 IGBT ermöglichen außerdem eine zuverlässigere Bauweise mit den erhöhten Abständen und Kriechstrecken.
Monolithisch integrierte Diode
Niedrigste Schaltverluste
Verbesserte Zuverlässigkeit gegen Verschmutzung des Gehäuses
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