STMicroelectronics IGBT / 150 A ±20V max., 1200 V 750 W, 3-Pin Max. 247

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RS Best.-Nr.:
234-8892
Herst. Teile-Nr.:
STGYA75H120DF2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

150 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

750 W

Gehäusegröße

Max. 247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Der IGBT von STMicroelectronics wurde mit einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Feldanschlagstruktur entwickelt. Dieses Gerät ist Teil der H-Serie von IGBTs, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten darstellen, um den Wirkungsgrad von Hochschaltfrequenzwandlern zu maximieren. Darüber hinaus führen ein leicht positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient und eine sehr enge Parameterverteilung zu einem sicheren Parallelbetrieb.

Maximale Sperrschichttemperatur TJ = 175°C
5 μs Kurzschlussfestigkeit
VCE(sat) = 2,1 V (typ.) @ IC = 75 A
Enge Parameterverteilung
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient
Niedriger Wärmewiderstand
Antiparallele Diode mit sehr schneller Erholung

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