STMicroelectronics IGBT / 150 A ±20V max., 1200 V 750 W, 3-Pin Max. 247
- RS Best.-Nr.:
- 234-8894
- Herst. Teile-Nr.:
- STGYA75H120DF2
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 150 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 750 W | |
| Gehäusegröße | Max. 247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 150 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 750 W | ||
Gehäusegröße Max. 247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Der IGBT von STMicroelectronics wurde mit einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Feldanschlagstruktur entwickelt. Dieses Gerät ist Teil der H-Serie von IGBTs, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten darstellen, um den Wirkungsgrad von Hochschaltfrequenzwandlern zu maximieren. Darüber hinaus führen ein leicht positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient und eine sehr enge Parameterverteilung zu einem sicheren Parallelbetrieb.
Maximale Sperrschichttemperatur TJ = 175°C
5 μs Kurzschlussfestigkeit
VCE(sat) = 2,1 V (typ.) @ IC = 75 A
Enge Parameterverteilung
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient
Niedriger Wärmewiderstand
Antiparallele Diode mit sehr schneller Erholung
5 μs Kurzschlussfestigkeit
VCE(sat) = 2,1 V (typ.) @ IC = 75 A
Enge Parameterverteilung
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient
Niedriger Wärmewiderstand
Antiparallele Diode mit sehr schneller Erholung
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