Infineon IGBT / 20 A, 650 V 125 W TO-220

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RS Best.-Nr.:
242-0977
Herst. Teile-Nr.:
IGP20N65H5XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

20A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gehäusegröße

TO-220

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 ±30 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.65V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

29.95mm

Serie

High Speed Fifth Generation

Breite

10.36 mm

Normen/Zulassungen

JEDEC

Höhe

4.57mm

Automobilstandard

Nein

Der IGBT-Transistor von Infineon hat eine Durchbruchspannung von 650 V. Die maximale Sperrschichttemperatur des Transistors beträgt 175 °C.

Best-in-Class-Effizienz in Hard-Switching- und Resonanztopologien

Plug-and-Play-Ersatz von IGBTs der vorherigen Generation

Anwendbar in Solarwandlern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen, Schweißwandlern

Schaltfrequenzwandler im mittleren bis hohen Bereich

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