Infineon IGBT / 42 A 20V max. , 650 V 125 W TO-220-3
- RS Best.-Nr.:
- 242-0977
- Herst. Teile-Nr.:
- IGP20N65H5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 242-0977
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- IGP20N65H5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 42 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 20V | |
| Verlustleistung max. | 125 W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-220-3 | |
| Konfiguration | Single | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 42 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. 20V | ||
Verlustleistung max. 125 W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-220-3 | ||
Konfiguration Single | ||
Der IGBT-Transistor von Infineon hat eine Durchbruchspannung von 650 V. Die maximale Sperrschichttemperatur des Transistors beträgt 175 °C.
Best-in-Class-Effizienz in Hard-Switching- und Resonanztopologien
Plug-and-Play-Ersatz von IGBTs der vorherigen Generation
Anwendbar in Solarwandlern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen, Schweißwandlern
Schaltfrequenzwandler im mittleren bis hohen Bereich
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Anwendbar in Solarwandlern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen, Schweißwandlern
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