Infineon IGBT / 4 A, 600 V 42 W TO-251 Typ N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
244-0897
Herst. Teile-Nr.:
IGU04N60TAKMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

4A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

42W

Gehäusegröße

TO-251

Kabelkanaltyp

Typ N

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.5V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

TRENCHSTOPTM

Normen/Zulassungen

JEDEC1

Automobilstandard

Nein

Infineon IGBT, 4A maximaler Kollektor-Dauerstrom, 600V maximale Kollektor-Emitter-Spannung - IGU04N60TAKMA1


Dieser IGBT ist ein hocheffizienter Transistor für den Einsatz in anspruchsvollen Anwendungen. Mit einer maximalen Kollektor-Emitter-Spannung von 600 V und einem Kollektor-Dauerstrom von 4 A bietet dieses TO-251 IGBT-Modul eine hervorragende Leistung. Durch die kompakten Abmessungen von 6,6 x 6,1 x 0,09 mm eignet er sich für eine Vielzahl von Aufbauten und arbeitet effektiv in einem Temperaturbereich von -40°C bis +175°C.

Eigenschaften und Vorteile


• Sehr niedrige Sättigungsspannung verbessert die Energieeffizienz

• Kurzschlussfestigkeit von 5μs erhöht die Zuverlässigkeit

• Hohe Schaltgeschwindigkeit optimiert die Systemleistung

• Niedrige Gate-Ladung reduziert den Leistungsbedarf des Treibers

• Hervorragende thermische Stabilität gewährleistet gleichbleibenden Betrieb

• Enge Parameterverteilung erhöht die Designflexibilität

Anwendungen


• Einsatz in Frequenzumrichtern zur effizienten Energieumwandlung

• Ideal für Elektromotorantriebe in industriellen Umgebungen

• Effektiv in der Stromversorgung bei begrenztem Platzangebot

• Geeignet für erneuerbare Energiesysteme, die einen hohen Wirkungsgrad erfordern

• Konzipiert für verschiedene Automatisierungsanwendungen mit hohen Anforderungen an die Zuverlässigkeit

Was sind die wichtigsten elektrischen Eigenschaften dieses IGBT?


Dieser Baustein zeichnet sich durch eine maximale Kollektor-Emitter-Spannung von 600 V und einen kontinuierlichen Kollektorstrom von 4 A aus und ist damit für Hochleistungsanwendungen geeignet. Die maximale Verlustleistung liegt bei 42 W, so dass er auch große Lasten effektiv bewältigen kann.

Wie wirkt sich der Gate-Emitter-Spannungsbereich auf die Nutzbarkeit aus?


Der Gate-Emitter-Spannungsbereich von ±20 V bietet Flexibilität bei den Ansteuerungskonfigurationen und ermöglicht die Integration mit einer Vielzahl von Steuerschaltungen bei stabilem Betrieb unter verschiedenen Bedingungen.

Was sind die Vorteile der Spezifikationen für den Wärmewiderstand?


Mit einem Wärmewiderstand von 3,5 K/W zwischen Sperrschicht und Gehäuse gewährleistet dieser IGBT ein effizientes Wärmemanagement und ermöglicht einen längeren Betrieb bei hohen Temperaturen ohne Leistungseinbußen, was für Hochleistungsanwendungen unerlässlich ist.

Was macht diesen IGBT für raue Umgebungen geeignet?


Das Gerät arbeitet zwischen -40°C und +175°C und gewährleistet Zuverlässigkeit bei extremen Temperaturen, was für industrielle Anwendungen, die wechselnden Umweltbedingungen ausgesetzt sind, entscheidend ist.

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