Infineon IGBT-Modul, 600 V 175 W

Dieses IGBT-Modul ist eine kompakte Leistungshalbleiterbaugruppe, die zum Schalten und Steuern von Hochspannungs-Gleichstromlasten in industriellen Stromversorgungssystemen entwickelt wurde. Er bietet robuste Schaltfunktionen für Wandler, Wechselrichter und Motorantriebe und arbeitet gleichzeitig über einen breiten Temperaturbereich in anspruchsvollen Umgebungen. Das Gerät ist RoHS-konform und für Anwendungen vorgesehen, die mehrere Transistorausgänge in einem einzigen Gehäuse erfordern.

• Die Kollektor-Emitter-Bewertung von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• Die maximale Verlustleistung von 175 W unterstützt eine hohe kontinuierliche Lastbelastbarkeit
• Maximale VCE(sat) von 1,9 V reduziert Leitungsverluste während des Einschaltbetriebs
• Gate-Emitter-Toleranz von 20 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannungen
• Sieben Transistoren in einem Gehäuse ermöglichen mehrkanalige Schaltanordnungen

• Geeignet für dreiphasige Motorwechselrichterstufen, die mehrere Schalter erfordern
• Ideal für industrielle DC/DC-Wandler mit Hochspannungseingängen
• Einsatz mit Leistungsgleichrichtern in Traktionssystemen mit mittlerer Leistung
• Kann für Wechselrichter für erneuerbare Energien verwendet werden, die variable Lasten bewältigen
• Geeignet für Labor- oder Prüfgeräte, die Cluster-Transistorausgänge benötigen

Er ist für den Betrieb bis zu -40 °C und bis zu 150 °C ausgelegt.

Das Gerät misst 42,5 x 51 x 12 mm für kompakte Montage und Grundflächenplanung.

Mehrere Transistoren in einem Gehäuse reduzieren die Verbindungslänge und vereinfachen die Gate-Routing für Mehrbein-Topologien.

Das Gerät entspricht nicht den Normen der Automobilindustrie und sollte nicht für Kfz-konforme Designs verwendet werden.