Infineon IGBT-Modul / 85 A ±20V max. Quad, 650 V 20 mW

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RS Best.-Nr.:
248-1201
Herst. Teile-Nr.:
F3L150R07W2H3B11BPSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

85 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

20 mW

Anzahl an Transistoren

4

Infineon stellt dieses EasyPACK 2B 650 V, 100 A 3-Level IGBT Modul mit Trench/Fieldstop IGBT H3 und schneller Diode und PressFIT / NTC her. Dieses Gerät bietet einfaches, kompaktes Design und optimierte Leistung. Das Gerät bietet zusätzliche Vorteile wie erhöhte Sperrspannungsfähigkeit bis zu 650 V, niedrige Induktivität, geringe Schaltverluste und niedrige VCE,sat. Es verwendet ein Al2O3-Substrat mit geringem Wärmewiderstand und PressFIT-Kontakttechnologie. Dieses Gerät bietet eine robuste Montage durch eine integrierte Montageklammer. Dieses Gerät verwendet die IGBT HighSpeed 3-Technologie.

Bestes Preis-Leistungs-Verhältnis bei reduzierten Systemkosten
Hoher Freiheitsgrad im Design
Höchste Effizienz und Leistungsdichte

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