STMicroelectronics IGBT / 60 A 20V max., 650 V 260 W H2PAK-2
- RS Best.-Nr.:
- 248-4893
- Herst. Teile-Nr.:
- STGH30H65DFB-2AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Voraussichtlich ab 12.05.2025 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 1000)
1,877 €
(ohne MwSt.)
2,234 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
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- RS Best.-Nr.:
- 248-4893
- Herst. Teile-Nr.:
- STGH30H65DFB-2AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Das STMicroelectronics-Produkt ist ein IGBT, das mit einer fortschrittlichen proprietären Trench Gate Field Stop-Struktur entwickelt wurde. Das Gerät ist Teil der neuen HB-Serie von IGBTs, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitung und Schaltverlust darstellt, um den Wirkungsgrad eines beliebigen Frequenzwandlers zu maximieren. Darüber hinaus führen ein leicht positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient und eine sehr enge Parameterverteilung zu einem sicheren Parallelbetrieb.
AEC-Q101-qualifiziert
Hochgeschwindigkeits-Schaltreihe
Sicherere Parallelität
Enge Parameterverteilung
Geringer Wärmewiderstand
Weiche und sehr schnelle Antiparalleldiode
Hochgeschwindigkeits-Schaltreihe
Sicherere Parallelität
Enge Parameterverteilung
Geringer Wärmewiderstand
Weiche und sehr schnelle Antiparalleldiode
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 60 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
| Gate-Source Spannung max. | 20V |
| Anzahl an Transistoren | 1 |
| Verlustleistung max. | 260 W |
| Gehäusegröße | H2PAK-2 |
| Konfiguration | Single |
- RS Best.-Nr.:
- 248-4893
- Herst. Teile-Nr.:
- STGH30H65DFB-2AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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