STMicroelectronics N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V / 30 A, 7-Pin H2PAK-7

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RS Best.-Nr.:
249-6653
Herst. Teile-Nr.:
SCT040H65G3AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Montageart

Oberfläche

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650 V

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

30 A

Pinanzahl

7

Gehäusegröße

H2PAK-7

The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

AEC-Q101 qualified

Very low RDS(on) over the entire temperature range

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

Source sensing pin for increased efficiency

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