STMicroelectronics Sct N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 55 A 385 W, 7-Pin H2PAK-7

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RS Best.-Nr.:
719-465
Herst. Teile-Nr.:
SCT018H65G3-7
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

Sct

Gehäusegröße

H2PAK-7

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

2.6V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

79.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

385W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.8mm

Länge

15.25mm

Ursprungsland:
CN
Das Siliziumkarbid-Power-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode

Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung

Sensor-Stift für erhöhte Effizienz

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