STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 40 A 300 W, 7-Pin H2PAK-7

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215-232
Herst. Teile-Nr.:
SCT040H120G3AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

H2PAK-7

Serie

SCT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

40mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

54nC

Durchlassspannung Vf

2.6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

15.25mm

Höhe

4.8mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101, RoHS

Breite

10.4 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der dritten Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen

Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode

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