STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 900 V / 110 A 625 W, 7-Pin SCT012H90G3AG H2PAK-7

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

52,03 €

(ohne MwSt.)

61,92 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 952,03 €
10 +46,84 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
215-220
Herst. Teile-Nr.:
SCT012H90G3AG
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

900V

Gehäusegröße

H2PAK-7

Serie

SCT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

138nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

625W

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Durchlassspannung Vf

2.8V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.8mm

Normen/Zulassungen

RoHS, AEC-Q101

Breite

10.4 mm

Länge

15.25mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Das Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung

Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode

Verwandte Links