STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 900 V / 110 A 625 W, 7-Pin H2PAK-7

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215-220
Herst. Teile-Nr.:
SCT012H90G3AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

900V

Serie

SCT

Gehäusegröße

H2PAK-7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

2.8V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

138nC

Maximale Verlustleistung Pd

625W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

15.25mm

Höhe

4.8mm

Normen/Zulassungen

RoHS, AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Das Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung

Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode

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