STMicroelectronics SCT N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 30 A 224 W, 7-Pin H2PAK-7

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
214-961
Herst. Teile-Nr.:
SCT070H120G3-7
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

H2PAK-7

Serie

SCT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

63mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

224W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

37nC

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

15.25mm

Breite

10.4mm

Ursprungsland:
CN
Das Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung

Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode

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