STMicroelectronics SCT N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 30 A 224 W, 7-Pin H2PAK-7

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Stück)*

13,16 €

(ohne MwSt.)

15,66 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 10. Mai 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
1 - 913,16 €
10 - 2411,99 €
25 +10,00 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
214-961
Herst. Teile-Nr.:
SCT070H120G3-7
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

H2PAK-7

Serie

SCT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

63mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

3V

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

224W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

37nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

10.4mm

Länge

15.25mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Ursprungsland:
CN
Das Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung

Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.