STMicroelectronics SCT, Oberfläche MOSFET 1200 V / 55 A 375 W H2PAK-7

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RS Best.-Nr.:
365-166
Herst. Teile-Nr.:
SCT025H120G3-7
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

SCT

Gehäusegröße

H2PAK-7

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

27mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

AEC-Q101 qualifiziert

Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen

Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode

Quellensensorstift für mehr Effizienz

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