STMicroelectronics Sct N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 900 V / 110 A 625 W, 3-Pin HIP-247-3
- RS Best.-Nr.:
- 719-464
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT012W90G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 110A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 900V | |
| Gehäusegröße | HIP-247-3 | |
| Serie | Sct | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 625W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 138nC | |
| Durchlassspannung Vf | 2.8V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Breite | 5.15mm | |
| Länge | 15.75mm | |
| Höhe | 20.15mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 110A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 900V | ||
Gehäusegröße HIP-247-3 | ||
Serie Sct | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 625W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 138nC | ||
Durchlassspannung Vf 2.8V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Breite 5.15mm | ||
Länge 15.75mm | ||
Höhe 20.15mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
AEC-Q101 qualifiziert
Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung
Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode
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