STMicroelectronics Sct N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterung 900 V / 110 A 625 W, 3-Pin HIP-247-3

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RS Best.-Nr.:
719-464
Herst. Teile-Nr.:
SCT012W90G3AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

900V

Serie

Sct

Gehäusegröße

HIP-247-3

Montageart

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Verlustleistung Pd

625W

Durchlassspannung Vf

2.8V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

138nC

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Höhe

20.15mm

Länge

15.75mm

Breite

5.15 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Das Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

AEC-Q101 qualifiziert

Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung

Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode

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