STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V Entleerung / 65 A 318 W, 3-Pin Hip-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

917,34 €

(ohne MwSt.)

1.091,64 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 17. Dezember 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 +30,578 €917,34 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
202-5478
Herst. Teile-Nr.:
SCT50N120
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

65A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

Hip-247

Serie

SCT

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.59Ω

Channel-Modus

Entleerung

Durchlassspannung Vf

3.5V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

122nC

Maximale Verlustleistung Pd

318W

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Länge

15.75mm

Höhe

34.95mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Dies führt zu einem unübertroffenen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Gerätebereich und einer sehr guten Schaltleistung, die nahezu unabhängig von der Temperatur ist.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Niedrige Kapazität

Verwandte Links