STMicroelectronics SCT N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V Entleerung / 33 A 290 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 202-5490
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTW40N120G2VAG
- Marke:
- STMicroelectronics
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 33A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | SCT | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.105Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 290W | |
| Durchlassspannung Vf | 3.4V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Breite | 5.15mm | |
| Höhe | 34.95mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 15.75mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie SCT | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.105Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 290W | ||
Durchlassspannung Vf 3.4V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Breite 5.15mm | ||
Höhe 34.95mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 15.75mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics-MOSFET für Siliziumkarbidleistung in Kfz-Qualität wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Niedrige Kapazität
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